RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
69
左右 -123% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.2
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
31
读取速度,GB/s
3,325.1
17.4
写入速度,GB/s
1,441.2
15.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3642
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link