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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
68
76
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.9
1,702.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
76
读取速度,GB/s
3,886.6
15.1
写入速度,GB/s
1,702.6
7.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
654
1859
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
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