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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB vs SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
总分
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
49
左右 20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
8.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR3
PassMark中的延时,ns
39
49
读取速度,GB/s
15.5
8.2
写入速度,GB/s
11.5
5.2
内存带宽,mbps
21300
10600
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2264
1223
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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