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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
比较
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
总分
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
43
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
7.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
26
读取速度,GB/s
12.1
14.2
写入速度,GB/s
7.6
9.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2034
2890
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
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