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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
差异
规格
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
45
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
27
读取速度,GB/s
11.9
16.5
写入速度,GB/s
8.1
13.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3061
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
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