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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
47
左右 4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.9
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
47
读取速度,GB/s
11.9
11.5
写入速度,GB/s
8.1
13.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2793
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
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