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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
45
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
26
读取速度,GB/s
11.9
14.3
写入速度,GB/s
8.1
8.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2384
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
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Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
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