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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
45
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
29
读取速度,GB/s
11.9
19.4
写入速度,GB/s
8.1
15.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3614
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB RAM的比较
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
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