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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
76
左右 38% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
76
读取速度,GB/s
11.8
14.0
写入速度,GB/s
8.0
11.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2087
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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