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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
47
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
23
读取速度,GB/s
11.8
15.5
写入速度,GB/s
8.0
12.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2660
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
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