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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.8
8.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
47
左右 -24% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
38
读取速度,GB/s
11.8
8.7
写入速度,GB/s
8.0
7.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
1999
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Mushkin 991586 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Team Group Inc. 16GB
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