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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
47
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
37
读取速度,GB/s
11.8
13.9
写入速度,GB/s
8.0
9.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2461
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
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Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
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