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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
比较
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
总分
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
26
读取速度,GB/s
12.0
20.2
写入速度,GB/s
7.2
16.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1933
3936
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
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