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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs AMD R534G1601U1S 4GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
AMD R534G1601U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
68
左右 34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12
6.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
4.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
45
68
读取速度,GB/s
12.0
6.5
写入速度,GB/s
7.8
4.7
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
1209
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calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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