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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
45
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
23
读取速度,GB/s
12.0
14.7
写入速度,GB/s
7.8
11.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3007
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
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