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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13
10.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
44
左右 -52% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
44
29
读取速度,GB/s
13.0
10.8
写入速度,GB/s
8.2
6.5
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2069
1953
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
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