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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
45
左右 -29% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
35
读取速度,GB/s
12.3
10.3
写入速度,GB/s
8.0
8.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2311
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
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