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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
48
左右 -129% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
21
读取速度,GB/s
8.9
19.1
写入速度,GB/s
5.9
15.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3264
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS256MSK64V3N 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
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