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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
48
左右 -78% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
27
读取速度,GB/s
8.9
14.4
写入速度,GB/s
5.9
11.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2956
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
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