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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
48
左右 -66% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
29
读取速度,GB/s
8.9
17.1
写入速度,GB/s
5.9
13.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3432
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
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