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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
66
左右 27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.9
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.0
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
66
读取速度,GB/s
8.9
7.9
写入速度,GB/s
5.9
7.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
1862
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
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