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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
48
左右 -118% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
22
读取速度,GB/s
8.9
17.9
写入速度,GB/s
5.9
14.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3204
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
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