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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
47
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
25
读取速度,GB/s
9.3
14.5
写入速度,GB/s
5.9
10.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
2620
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
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Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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