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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
81
左右 42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.3
8.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
5.9
5.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
81
读取速度,GB/s
9.3
8.5
写入速度,GB/s
5.9
5.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
1651
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
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