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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
40
左右 -60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
25
读取速度,GB/s
12.3
18.3
写入速度,GB/s
8.9
16.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3849
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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PNY Electronics PNY 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
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Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
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G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
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