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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
40
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.0
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
24
读取速度,GB/s
12.3
20.0
写入速度,GB/s
8.9
17.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3911
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
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Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
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