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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
31
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
31
读取速度,GB/s
10.6
15.8
写入速度,GB/s
6.8
11.3
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2865
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
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