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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
30
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
29
读取速度,GB/s
10.6
16.0
写入速度,GB/s
6.8
12.6
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
3291
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Mushkin 991586 2GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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