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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
32
左右 6% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.1
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
32
读取速度,GB/s
10.6
14.1
写入速度,GB/s
6.8
9.7
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2434
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
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