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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
30
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.5
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
29
读取速度,GB/s
10.6
12.5
写入速度,GB/s
6.8
9.7
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2609
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
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Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88A1BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
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