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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
25
读取速度,GB/s
10.6
15.3
写入速度,GB/s
6.8
11.4
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2681
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
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