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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
比较
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
总分
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
总分
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.9
7.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
37
读取速度,GB/s
7.2
9.9
写入速度,GB/s
3.0
12.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
915
2572
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
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