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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
46
左右 -10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
13.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
42
读取速度,GB/s
14.2
15.5
写入速度,GB/s
13.6
14.1
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
3170
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
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