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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
46
左右 -48% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
31
读取速度,GB/s
14.2
11.7
写入速度,GB/s
13.6
6.8
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
1763
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
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