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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
77
左右 -108% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.4
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
37
读取速度,GB/s
2,936.9
16.8
写入速度,GB/s
1,884.0
13.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2990
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
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