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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
77
左右 -148% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.0
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
31
读取速度,GB/s
2,936.9
17.3
写入速度,GB/s
1,884.0
14.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3112
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT51264AA667.M16FC 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
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