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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Kingston X5H5PW-MIB 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
77
左右 -235% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
23
读取速度,GB/s
2,936.9
16.9
写入速度,GB/s
1,884.0
12.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3018
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
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