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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
54
左右 24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.6
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
54
读取速度,GB/s
11.6
10.4
写入速度,GB/s
7.3
8.2
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2259
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
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