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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.6
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
41
左右 -17% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
35
读取速度,GB/s
11.6
9.1
写入速度,GB/s
7.3
8.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2229
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
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Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
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