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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
43
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
26
读取速度,GB/s
10.7
14.6
写入速度,GB/s
6.8
11.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1314
3124
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM的比较
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
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