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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
总分
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
43
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
36
读取速度,GB/s
10.7
15.4
写入速度,GB/s
6.8
11.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1314
2320
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
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