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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
总分
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
39
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
39
读取速度,GB/s
10.9
14.3
写入速度,GB/s
6.6
10.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1406
2159
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
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