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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
43
左右 -95% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
22
读取速度,GB/s
12.3
17.0
写入速度,GB/s
8.1
13.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2942
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
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