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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
101
左右 57% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
101
读取速度,GB/s
12.3
14.5
写入速度,GB/s
8.1
6.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
1369
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
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V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
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