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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
43
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
30
读取速度,GB/s
12.3
18.0
写入速度,GB/s
8.1
14.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3466
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
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