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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
43
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
24
读取速度,GB/s
12.3
16.4
写入速度,GB/s
8.1
11.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2900
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
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