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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
43
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
40
读取速度,GB/s
12.3
15.0
写入速度,GB/s
8.1
11.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2100
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
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Kingston 9965640-013.A01G 32GB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
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