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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
总分
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
总分
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.2
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
37
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
24
读取速度,GB/s
9.8
13.9
写入速度,GB/s
7.2
6.5
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2065
2197
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
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