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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
比较
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
总分
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
总分
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
14
42
左右 -200% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
26.4
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.8
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
14
读取速度,GB/s
13.7
26.4
写入速度,GB/s
8.3
19.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
4362
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB RAM的比较
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
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