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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
总分
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
55
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
21
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
55
读取速度,GB/s
10.1
21.0
写入速度,GB/s
7.1
11.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1484
2457
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
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